logo
послСдний случай ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΎ 🏭 КСйс 02 β€” Π£Π»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ‡ΠΈΡΡ‚Π°Ρ кварцСвая ΠΈ карбидокрСмниСвая очистка ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²Π°Π½Π½Ρ‹ ACMESONIC
Π£ΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½Ρ‹ΠΉ случай
ΠšΠΎΡ€ΠΏΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ
"

🏭 КСйс 02 β€” Π£Π»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ‡ΠΈΡΡ‚Π°Ρ кварцСвая ΠΈ карбидокрСмниСвая очистка ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²Π°Π½Π½Ρ‹ ACMESONIC

2026-09-08
ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π΄Π΅Π»Π°
ΠŸΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ:ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² / Wafer Fab
ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π·Π°Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΊ:ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ† ΠΈ SiC очистка.
ΠœΠ΅Ρ‚Π° описаниС:Как вСдущая литСйная Ρ„Π°Π±Ρ€ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² достигла <5 частиц (>0.3ΞΌm) Π½Π° ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ°Ρ… ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°Ρ… SiC с использованиСм Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ очистки ACMESONIC 40 ΠΊΠ“Ρ† с ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ DI-Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈ Π½Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π²Π΅ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ конструкциСй 316L.
ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°: ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π·Π° загрязнСниСм ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²
ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π²ΠΈΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ производствС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… пластинок Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΎΠ΄Π½Π° частица, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ 0,1 ΠΌΠΊΠΌ, ΠΎΡΠ΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π½Π° критичСской повСрхности, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ всю ΠΏΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΡŽ пластинок Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ для использования.Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ потСрям уроТая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ сотни тысяч Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ²Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΉ Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄, производящий логичСскиС ΠΈ Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹, столкнулся с растущими ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°ΠΌΠΈ загрязнСния своим ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ, процСссовыС ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹,ΠΈ Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ Π»ΠΎΠ΄ΠΎΠΊ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΈΠ· ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄Π° крСмния (SiC), ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² высокотСмпСратурных процСссах эпитаксии ΠΈ Π³Ρ€Π°Π²ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈΠ’ этих дСталях накопились остатки процСсса, Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ отлоТСния ΠΈ молСкулярныС загрязнитСли, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½Ρ‹ стандартными ΠΌΠΎΠΊΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ скамСйками ΠΈ Ρ€ΡƒΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ полосканиСм.Π”Π΅Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π° ΠΈ хрупкая Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡΡ‚ΡŒ SiC Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ мягкого, Π½ΠΎ эффСктивного ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° очистки; агрСссивноС ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ агрСссивныС химичСскиС вСщСства Ρ€ΠΈΡΠΊΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎ Ρ†Π°Ρ€Π°ΠΏΠ°ΠΌΠΈ, Π³Ρ€Π°Π²ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΠ΅Ρ€ΠΎΡ…ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ повСрхности, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ускорит Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π΅ сцСплСниС частиц.процСсс Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π» строгой совмСстимости с Π΄Π΅ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ (DI) Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈ устранСния любого выщСлачивания мСталличСских ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΈΠ· самого очистного оборудования, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π΄Π°ΠΆΠ΅ слСды ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·Π°, натрия ΠΈΠ»ΠΈ калия ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π·Π°Π³Ρ€ΡΠ·Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠΈ пластинки ΠΈ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства.
РСшСниС: ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ процСсс с высокой чистотой
ACMESONIC Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» ΠΈ поставилточный ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΎΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ACMESONICΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ для чистоты ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². The system features a SUS316L stainless steel tankβ€”chosen for its superior corrosion resistance and ultra-low metallic impurity profileβ€”compatible with DI water and a range of semiconductor-approved cleaning agentsРаботая Π½Π° частотС 40 ΠΊΠ“Ρ†, ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Π°Ρ частота Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎ настроСнныС ΠΊΠ°Π²ΠΈΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡƒΠ·Ρ‹Ρ€ΡŒΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ мягко ΠΈΠΌΠΏΠ»ΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π½Π° повСрхности ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².подъСм частиц Π΄ΠΎ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½Π° Π±Π΅Π· поврСТдСния Ρ…Ρ€ΡƒΠΏΠΊΠΈΡ… микроструктур ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π° ΠΈΠ»ΠΈ SiCΠ¦ΠΈΠΊΠ» очистки Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ контролируСтся Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚ 40 Π΄ΠΎ 60 Β°C для ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ повСрхностного напряТСния Тидкости ΠΈ Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠΈ ΠΊΠ°Π²ΠΈΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ.Π£Π»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Π°Ρ стадия ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹Π²ΠΊΠΈ с использованиСм Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ DI, послС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ происходит ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Π²ΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΡ‚Π΅Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ высвобоТдСнныС частицы, ΠΈ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ„Π°Π·Π° ΡΡƒΡˆΠΊΠΈ горячим Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ пятСн Π²ΠΎΠ΄Ρ‹.ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ пСтля Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ 1 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ насос Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠΉ рСциркуляции для поддСрТания чистоты Π²Π°Π½Π½Ρ‹ Π½Π° протяТСнии всСго процСсса очисткиЦифровая ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° управлСния ACMESONIC позволяСт Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Ρ†Π΅ΠΏΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°, с Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°, зарСгистрированными для отслСТивания ΠΈ Π°ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚Π° качСства.Вся установка Π±Ρ‹Π»Π° установлСна Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ срСдС с Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΡƒΡˆΠΈ ΠΈ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΎΡ‚ ESD Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ панСлями, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ»Π°ΠΌ чистой ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Ρ‹ Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄Π°.
Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚: Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° уроТая благодаря ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ чистотС
ПослС внСдрСния, Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π» ΠΎΠ±ΡˆΠΈΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ испытания чистоты с использованиСм Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… счСтчиков частиц ΠΈ сканирования повСрхности.постоянно ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 5 частиц (> 0,3 ΠΌΠΊΠΌ)ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° критичСских повСрхностях послС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° - Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ΅ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΌ исходным ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ 50+ частиц.Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ срока слуТбы ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€ΡƒΠ± ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² SiC Π½Π° 30%, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π½Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ процСсс ΠΊΠ°Π²ΠΈΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ» Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π°Π±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ мСханичСской очистки, которая Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π»Π° ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΡŽ повСрхности.ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ химичСских вСщСств снизилось Π½Π° 45% благодаря высокой эффСктивности Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Π²ΠΈΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΈ Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ устранил Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² опасных кислотных Π²Π°Π½Π½Π°Ρ… Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… этапах процСсса, повысив Π±Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ снизив расходы Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ ΠΎΡ‚Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ записи ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ очиститСля ACMESONIC прСдоставили Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡƒΡŽ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡŽ для соотвСтствия трСбованиям ISO 14644 ΠΊ чистым помСщСниям ΠΈ Π°ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚ΠΎΠ² качСства ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π‘Π΄Π΅Π»Π°Π² ΡΡƒΠ±ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ очистку повторяСмым, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ процСссом, Π° Π½Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ, Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚ΠΈΠ» ΡƒΡ€ΠΎΠΆΠ°ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ пластин, снизил ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²,ΠΈ ΡƒΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΠ» свою Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΡŽ поставщика Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ².
ΠšΠ°Ρ€Ρ‚Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…: 40 ΠΊΠ“Ρ† ЛСгкая кавитация·< 5 частиц (> 0,3 ΠΌΠΊΠΌ)Β·SUS316L / DI-Water ReadyΒ·0.1ΞΌm Π€ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡΒ·Π‘ΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ стандарту ISO 14644